|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, Х. С. Турекеев, Н. Норкулов, С. А. Тачилин, “Диффузия фосфора и галлия из напыленного слоя фосфида галлия в кремний”, Физика твердого тела, 64:11 (2022), 1648–1655   |
| 2. |
К. А. Исмайлов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, Е. Ж. Косбергенов, Б. К. Исмайлов, “Радиационная стойкость кремниевых солнечных элементов, легированных никелем”, Физика твердого тела, 64:5 (2022), 519–521 |
| 3. |
Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, С. Б. Исамов, Б. А. Абдурахманов, Г. А. Кушиев, “Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 495–497 |
2
|
| 4. |
К. А. Исмайлов, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, Е. Ж. Косбергенов, “Сравнительное исследование фотоэлементов на основе кремния, легированного никелем различными методами”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022), 438–440 |
1
|
| 5. |
М. К. Бахадырханов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, К. С. Аюпов, Е. Ж. Косбергенов, “Влияние никеля на время жизни носителей заряда в кремниевых солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 128–133 |
1
|
|
2021 |
| 6. |
М. К. Бахадырханов, Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, “Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 12–15 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Sh. N. Ibodullaev, N. F. Zikrillaev, S. V. Koveshnikov, “An infrared radiation photoresistor based on silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 641–644 |
2
|
|
2020 |
| 7. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. В. Ковешников, Н. Норкулов, “Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 37–40 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Sh. N. Ibodullaev, S. V. Koveshnikov, N. Norkulov, “Electric field-stimulated photoconductivity in silicon with manganese atom nanoclusters in the range of 3–8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1192–1195 |
|
2019 |
| 8. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, “Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 3–6 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Z. T. Kenzhaev, S. V. Koveshnikov, “Studying the effect of doping with nickel on silicon-based solar cells with a deep $p$–$n$-junction”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 959–962 |
10
|
|
1991 |
| 9. |
А. С. Зубрилов, С. В. Ковешников, “Влияние примесного состава $n$-Si на радиационное дефектообразование
и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда
при $\gamma$-облучении”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1332–1338 |
|
