|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Самовозбуждение высокочастотных автоколебаний в лавинных арсенид-галлиевых диодах”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 44–47   |
|
2022 |
| 2. |
М. С. Иванов, А. В. Рожков, П. Б. Родин, “Коллапсирующие домены Ганна как механизм самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных высоковольтных GaAs-диодах”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022), 31–34 |
2
|
| 3. |
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин, “Эффект самоподдержания проводящего состояния в обратносмещенных GaAs-диодах, переключаемых в режиме задержанного лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 48:16 (2022), 25–29 |
2
|
|
2021 |
| 4. |
М. С. Иванов, В. И. Брылевский, П. Б. Родин, “Волновые эффекты в коаксиальном тракте при субнаносекундном переключении высоковольтного диода в режиме задержанного ударно-ионизационного пробоя”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 32–35 ; M. S. Ivanov, V. I. Brylevsky, P. B. Rodin, “Wave effects in a coaxial transmission line under subnanosecond switching of a high-voltage diode in the delayed impact-ionization breakdown mode”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 661–664 |
4
|
|
2020 |
| 5. |
М. С. Иванов, Н. И. Подольская, П. Б. Родин, “Двойная лавинная инжекция в диодных лавинных обострителях”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 275–279 ; M. S. Ivanov, N. I. Podolska, P. B. Rodin, “Double avalanche injection in diode avalanche sharpeners”, Semiconductors, 54:3 (2020), 345–349 |
2
|
|
2016 |
| 6. |
М. С. Иванов, П. Б. Родин, П. А. Иванов, И. В. Грехов, “Параметры карбид-кремниевых диодных обострителей импульсов пикосекундного диапазона”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 87–94 ; M. S. Ivanov, P. B. Rodin, P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, “Parameters of silicon carbide diode avalanche shapers for the picosecond range”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 43–46 |
8
|
|
