|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. А. Минтаиров, В. Н. Ляхов, С. Н. Калинин, Ю. Ю. Сеффер, “Влияние температуры точки росы на тепловые ощущения в русской бане”, Междунар. науч.-исслед. журн., 2025, № 7(157), 1  |
| 2. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 291–293 |
| 3. |
А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 281–285 |
| 4. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 219–222 |
|
2024 |
| 5. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1214–1218  |
| 6. |
А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Н. А. Калюжный, “Трехпараметрическая трубковая модель растекания тока в солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 573–576 |
| 7. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 32–34 |
|
2023 |
| 8. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 700–705 |
| 9. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 38–41 |
| 10. |
С. А. Минтаиров, А. В. Малевская, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 32–34 |
|
2022 |
| 11. |
С. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022), 24–26 |
|
2021 |
| 12. |
Р. А. Салий, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 28–31 |
| 13. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54 |
|
2020 |
| 14. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 30–33 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 |
2
|
| 15. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 29–31 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Finding the energy gap of Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$ junctions on a metamorphic buffer from the photocurrent spectrum”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 332–334 |
1
|
|
2019 |
| 16. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1568–1572 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Counteracting the photovoltaic effect in the top intergenerator part of GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1535–1539 |
2
|
| 17. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Anomalies in photovoltaic characteristics of multijunction solar cells at ultrahigh solar light concentrations”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1100–1102 |
3
|
|
2018 |
| 18. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1126–1130 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Recombination in GaAs $p$-$i$-$n$ structures with InGaAs quantum-confined objects: modeling and regularities”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1244–1248 |
7
|
|
2016 |
| 19. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model”, Semiconductors, 50:7 (2016), 970–975 |
4
|
|
2015 |
| 20. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 682–687 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Estimation of the potential efficiency of a multijunction solar cell at a limit balance of photogenerated currents”, Semiconductors, 49:5 (2015), 668–673 |
13
|
|
2014 |
| 21. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, Р. А. Салий, В. М. Лантратов, “Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 671–676 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, R. A. Salii, V. M. Lantratov, “Subtractive method for obtaining the dark current-voltage characteristic and its types for the residual (nongenerating) part of a multi-junction solar cell”, Semiconductors, 48:5 (2014), 653–658 |
2
|
|
2012 |
| 22. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов, “Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1074–1081 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, V. M. Lantratov, “Photoelectric determination of the series resistance of multijunction solar cells”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1051–1058 |
12
|
|
