|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Е. А. Емельянов, Т. А. Дель, М. О. Петрушков, А. Г. Настовьяк, А. А. Спирина, Т. А. Гаврилова, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 37–41   |
|
2020 |
| 2. |
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14 ; E. A. Emelyanov, A. G. Nastovjak, M. O. Petrushkov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, M. A. Putyato, N. L. Shwartz, V. A. Shvets, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, “A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs (111)$B$ and GaAs (100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский, “Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25 ; M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, A. V. Vasev, V. V. Preobrazhenskii, “Zinc diffusion into InP via a narrow gap from a planar Zn$_{3}$P$_{2}$-based source”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 612–614 |
2
|
|
2015 |
| 4. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
|
