|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 35–37   ; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 |
8
|
|
2019 |
| 2. |
O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 991–994 ; O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 |
6
|
|
2012 |
| 3. |
П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, О. И. Коньков, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Токи утечки в 4H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки–($p$–$n$-структурой)”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 411–415 ; P. A. Ivanov, I. V. Grekhov, A. S. Potapov, O. I. Kon'kov, N. D. Il'inskaya, T. P. Samsonova, O. Korolkov, N. Sleptsuk, “Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes”, Semiconductors, 46:3 (2012), 397–400 |
10
|
|
