|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20   ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
|
2019 |
| 2. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
|
2017 |
| 4. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 5. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1468–1472 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 |
2
|
| 6. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
|
2016 |
| 7. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, “Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1473–1478 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, “On the crystal structure and thermoelectric properties of thin MnSi$_{x}$ films”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1453–1457 |
1
|
| 8. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
|
