|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, Е. А. Борсук, “Светодиодные структуры на основе ZnO-пленок, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления, для УФ области спектра”, ЖТФ, 90:3 (2020), 456–461   ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, E. A. Borsuk, “LED structures based on ZnO films obtained by RF magnetron sputtering for the UV spectral range”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 434–439 |
1
|
| 2. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Параметры полупроводниковых пленок ZnO, легированных 3$d$-примесями Mn, Fe”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 18–21 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Parameters of ZnO semiconductor films doped with Mn and Fe 3$d$ impurities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 15–18 |
|
2018 |
| 3. |
М. М. Мездрогина, А. С. Агликов, В. Г. Семенов, Ю. В. Кожанова, С. Г. Нефедов, Л. А. Шелухин, В. В. Павлов, “Рост, структурные, магнитные и магнитооптические свойства пленок ZnO, легированных 3$d$-примесью Fe$^{57}$”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 596–602 ; M. M. Mezdrogina, A. S. Aglikov, V. G. Semenov, Yu. V. Kozhanova, S. G. Nefedov, L. A. Shelukhin, V. V. Pavlov, “Growth and structural, magnetic, and magnetooptical properties of ZnO films doped with a Fe$^{57}$ 3$d$ impurity”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 603–609 |
1
|
| 4. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, В. С. Левицкий, “Влияние наночастиц, тонких пленок Ag, Au на генерацию носителей заряда в структурах с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN и в кристаллических пленках ZnO”, ЖТФ, 88:4 (2018), 566–571 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, V. S. Levitskii, “Influence of silver and gold nanoparticles and thin layers on charge carrier generation in InGaN/GaN multiple quantum well structures and crystalline zinc oxide films”, Tech. Phys., 63:4 (2018), 551–556 |
| 5. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Ю. В. Кожанова, “Формирование спектров люминесценции, интенсивность излучения в УФ и видимой областях структур $n$-ZnO/$p$-GaN, $n$-ZnO/$p$-ZnO при нанесении пленок ZnO методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1115–1119 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, Yu. V. Kozhanova, “Formation of luminescence spectra and emission intensity in the UV and visible spectral regions for $n$-ZnO/$p$-GaN and $n$-ZnO/$p$-ZnO structures when depositing ZnO films by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1233–1237 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, В. С. Левицкий, Е. Е. Терукова, Ю. В. Кожанова, А. С. Агликов, “Параметры пленок ZnO с дырочным типом проводимости, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 588–593 ; M. M. Mezdrogina, A. Ya. Vinogradov, V. S. Levitskii, E. E. Terukova, Yu. V. Kozhanova, A. S. Aglikov, “Parameters of ZnO films with $p$-type conductivity deposited by high-frequency magnetron sputtering”, Semiconductors, 51:5 (2017), 559–564 |
3
|
|
2016 |
| 7. |
М. М. Мездрогина, А. Я. Виноградов, Р. В. Кузьмин, В. С. Левицкий, Ю. В. Кожанова, Н. В. Лянгузов, М. В. Чукичев, “Интенсивность излучения в УФ- и ИК-областях спектра в пленках, наностержнях, объемных монокристаллах ZnO, легированных Er и дополнительно введенными примесями”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1325–1332 |
3
|
|
2015 |
| 8. |
М. М. Мездрогина, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, Ю. В. Кожанова, “Фотоиндуцированные дефекты в аморфных пленках $a$-Si : H и в структурах с квантовыми ямами MQW на основе InGaN/GaN, легированных Eu, Sm, Eu + Sm”, ЖТФ, 85:9 (2015), 97–104 ; M. M. Mezdrogina, E. I. Terukov, I. N. Trapeznikova, Yu. V. Kozhanova, “Photoinduced defects in $a$-Si:H Films and InGaN/GaN multiple quantum well structures doped with Eu, Sm, and Eu + Sm”, Tech. Phys., 60:9 (2015), 1353–1360 |
|
2013 |
| 9. |
М. М. Мездрогина, Е. С. Москаленко, Н. К. Полетаев, Ю. В. Кожанова, “Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm”, Физика твердого тела, 55:5 (2013), 962–967 ; M. M. Mezdrogina, E. S. Moskalenko, N. K. Poletaev, Yu. V. Kozhanova, “Influence of the magnetic field strength and excitation intensity on the shape of microphotoluminescence spectra of quantum-well structures based on GaN/InGaN doped with Sm and Eu+Sm”, Phys. Solid State, 55:5 (2013), 1043–1049 |
1
|
| 10. |
М. М. Мездрогина, Ю. В. Кожанова, “Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 480–489 ; M. M. Mezdrogina, Yu. V. Kozhanova, “Metastable states in InGaN/GaN MQW structures doped with Sm, Eu, and Eu + Sm”, Semiconductors, 47:4 (2013), 501–510 |
|
2012 |
| 11. |
М. М. Мездрогина, М. В. Еременко, Е. И. Теруков, Ю. В. Кожанова, “Интенсивность излучения внутрицентровых 4$f$-переходов в пленках $a$-Si : H, ZnO и GaN, легированных редкоземельными ионами”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 925–936 ; M. M. Mezdrogina, M. V. Eremenko, E. I. Terukov, Yu. V. Kozhanova, “Intensity of emission from intracenter 4$f$-transitions in $a$-Si:H, ZnO, and GaN films doped with rare-earth ions”, Semiconductors, 46:7 (2012), 901–912 |
4
|
|
