|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
О. В. Наумова, Б. И. Фомин, Е. В. Дмитриенко, И. А. Пышная, Д. В. Пышный, “Модификация поверхности КНИ-сенсоров для детекции РНК-биомаркеров”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 394–399   ; O. Naumova, B. I. Fomin, E. V. Dmitrienko, I. A. Pyshnaya, D. V. Pyshnyi, “Surface modification of SOI sensors for the detection of RNA biomarkers”, Semiconductors, 54:4 (2020), 471–475 |
2
|
| 2. |
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 124–128 ; E. G. Zaytseva, O. Naumova, B. I. Fomin, “Profiling mobility components near the heterointerfaces of thin silicon films”, Semiconductors, 54:2 (2020), 176–180 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 |
7
|
|
2018 |
| 4. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1028–1033 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 |
7
|
|
2017 |
| 5. |
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 446–452 ; E. G. Zaytseva, O. Naumova, B. I. Fomin, “Electron mobility in the inversion layers of fully depleted SOI films”, Semiconductors, 51:4 (2017), 423–429 |
3
|
|
2015 |
| 6. |
О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов, “Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1360–1366 ; O. Naumova, E. G. Zaytseva, B. I. Fomin, M. A. Ilnitskii, V. P. Popov, “Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1316–1322 |
9
|
|
