Научная биография: |
Спирина, Анна Александровна.
Самокаталитический рост планарных нанопроволок и ленгмюровское испарение GaAs : моделирование методом Монте-Карло : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 1.3.11.; [Место защиты: ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук ; Диссовет 24.1.134.01 (Д 003.037.01)]. - Новосибирск, 2023. - 154 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. В. Манцурова, А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, “Влияние свойств структурированной поверхности подложки на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование Монте-Карло)”, Физика и техника полупроводников, 58:11 (2024), 612–619   |
|
2023 |
| 2. |
Е. А. Емельянов, Т. А. Дель, М. О. Петрушков, А. Г. Настовьяк, А. А. Спирина, Т. А. Гаврилова, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 37–41 |
|
2020 |
| 3. |
А. А. Спирина, Н. Л. Шварц, “Влияние температуры на морфологию планарных нанопроволок GaAs (моделирование)”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 160–164 ; A. A. Spirina, N. L. Shwartz, “Influence of temperature on the planar GaAs nanowire morphology (simulation)”, Semiconductors, 54:2 (2020), 212–216 |
2
|
|
