|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, “Механизмы токопрохождения в структуре TiN/Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$/Au”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 662–667   |
| 2. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, Е. В. Гущина, Ж. К. Толепов, А. С. Жакыпов, О. Ю. Приходько, “Влияние примеси Bi на основные параметры вольт-амперных характеристик полупроводника с фазовой памятью Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 443–447 |
|
2020 |
| 3. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, А. Б. Былев, А. О. Якубов, “Многоуровневая запись в тонких пленках Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 372–375 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, A. B. Bylev, A. O. Yakubov, “Multilevel recording in Ge$_{2}$Sb$_{2}$Te$_{5}$ thin films”, Semiconductors, 54:4 (2020), 450–453 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Н. А. Богословский, К. Д. Цэндин, “Оценка температуры шнура тока, возникающего при переключении в халькогенидах системы GeSbTe”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1503–1506 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, N. A. Bogoslovskii, K. D. Tsendin, “Estimation of the temperature of the current filament that forms upon switching in GeSbTe”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1607–1610 |
3
|
|
2016 |
| 5. |
П. С. Крылов, А. С. Берестенников, С. А. Фефелов, А. С. Комолов, А. Н. Алешин, “$S$-образные вольт-амперные характеристики композитных пленок на основе полимеров с частицами графена и оксида графена”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2476–2481 ; P. S. Krylov, A. S. Berestennikov, S. A. Fefelov, A. S. Komolov, A. N. Aleshin, “$S$-shaped current–voltage characteristics of polymer composite films containing graphene and graphene oxide particles”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2567–2573 |
9
|
| 6. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, Д. Арсова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, О. Ю. Приходько, “Осцилляции напряжения при эффекте переключения в режиме токовой моды в тонких слоях халькогенидов системы Ge–Sb–Te”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 958–962 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, D. Arsova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, O. Yu. Prikhodko, “Voltage oscillations in the case of the switching effect in thin layers of Ge–Sb–Te chalcogenides in the current mode”, Semiconductors, 50:7 (2016), 941–946 |
1
|
|
2014 |
| 7. |
С. А. Фефелов, Л. П. Казакова, С. А. Козюхин, К. Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева, “Особенности вольт-амперных характеристик в тонких пленках состава Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ при использовании измерительной цепи с источником тока”, ЖТФ, 84:4 (2014), 80–84 ; S. A. Fefelov, L. P. Kazakova, S. A. Kozyukhin, K. D. Tsendin, D. Arsova, V. Pamukchieva, “Current-voltage characteristics of thin Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ films taken using a measuring circuit with a current source”, Tech. Phys., 59:4 (2014), 546–550 |
9
|
|
