|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
И. В. Самарцев, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, А. Б. Чигинева, К. С. Жидяев, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Рыков, С. М. Планкина, А. В. Нежданов, А. В. Ершов, “InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17–1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 495–500   |
| 2. |
Д. А. Здоровейщев, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, А. Е. Парафин, С. М. Планкина, “Получение и исследование свойств слоев GaAs, легированных висмутом”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 399–405 |
|
2020 |
| 3. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. Н. Дроздов, А. В. Здоровейщев, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, И. Н. Антонов, С. М. Планкина, М. П. Темирязева, “Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 801–806 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, M. N. Drozdov, A. V. Zdoroveyshchev, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, I. N. Antonov, S. M. Plankina, M. P. Temiryazeva, “Formation of carbon layers by the thermal decomposition of carbon tetrachloride in a reactor for MOCVD epitaxy”, Semiconductors, 54:8 (2020), 956–960 |
2
|
|
2019 |
| 4. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. П. Лесников, А. В. Нежданов, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, И. Ю. Пашенькин, С. М. Планкина, “Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений A$^{3}$B$^{5}$ импульсным лазерным отжигом”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2130–2134 ; O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. P. Lesnikov, A. V. Nezhdanov, S. A. Pavlov, A. E. Parafin, I. Yu. Pashen'kin, S. M. Plankina, “Modification of the properties of ferromagnetic layers based on A$^{3}$B$^{5}$ compounds by pulsed laser annealing”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2150–2154 |
6
|
| 6. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1510–1513 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Cleaved-edge photoluminescence spectroscopy of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1456–1459 |
1
|
|
2016 |
| 7. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, Н. Ю. Коннова, А. В. Нежданов, И. Ю. Пашенькин, “Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1561–1564 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, N. Yu. Konnova, A. V. Nezhdanov, I. Yu. Pashen'kin, “Study of the structures of cleaved cross sections by Raman spectroscopy”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1539–1542 |
6
|
|
2015 |
| 8. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, И. Л. Калентьева, А. В. Нежданов, И. И. Чунин, П. А. Юнин, “Исследование $\delta$-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 102–106 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, I. L. Kalentyeva, A. V. Nezhdanov, I. I. Chunin, P. A. Yunin, “Raman spectroscopy of InGaAs/GaAs nanoheterostructures $\delta$-doped with Mn”, Semiconductors, 49:1 (2015), 99–103 |
2
|
|
1992 |
| 9. |
И. А. Карпович, В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Н. В. Байдусь, Л. М. Батукова, Б. Н. Звонков, С. М. Планкина, “Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1886–1893 |
| 10. |
И. А. Карпович, С. М. Планкина, “Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs”, Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992), 1313–1320 |
|
