|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, В. А. Тимофеев, “Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si”, Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1642–1646  |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878  |
| 3. |
А. К. Бакаров, М. А. Суханов, А. С. Ярошевич, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 33–36 |
|
2023 |
| 4. |
М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. А. Макеева, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023), 27–30 |
|
2022 |
| 5. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. В. Васев, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, И. Д. Лошкарев, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 980–992 |
|
2020 |
| 6. |
М. О. Петрушков, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, М. Ю. Есин, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1289–1295 ; M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, M. A. Putyato, A. V. Vasev, I. D. Loshkarev, M. Yu. Yesin, O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. V. Preobrazhenskii, “Effect of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during MBE heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1548–1554 |
3
|
|
2019 |
| 7. |
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, М. А. Путято, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, “Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 512–519 ; E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, M. Yu. Yesin, I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, M. A. Putyato, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, “The growth of InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ solid solutions on miscuted GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy method”, Semiconductors, 53:4 (2019), 503–510 |
2
|
|
2018 |
| 8. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
| 9. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 10. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
2015 |
| 11. |
Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов, И. В. Сабинина, И. Д. Лошкарев, “Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101 ; Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Kolesnikov, E. M. Trukhanov, I. V. Sabinina, I. D. Loshkarev, “Density of dislocations in CdHgTe heteroepitaxial structures on GaAs(013) and Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2151–2158 |
18
|
|
