|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
В. В. Привезенцев, А. П. Сергеев, В. С. Куликаускас, Д. А. Киселев, А. Ю. Трифонов, А. Н. Терещенко, “Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1376–1382   ; V. V. Privezentsev, A. P. Sergeev, V. S. Kulikauskas, D. A. Kiselev, A. Yu. Trifonov, A. N. Tereshchenko, “Structure, content and properties of Zn and O ion hot implanted silicon”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1650–1656 |
|
2018 |
| 2. |
А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 702–707 ; A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 |
8
|
|
2016 |
| 3. |
С. К. Брантов, А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, Е. Б. Якимов, “Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле”, ЖТФ, 86:3 (2016), 110–113 ; S. K. Brantov, A. N. Tereshchenko, E. A. Steinman, E. B. Yakimov, “Physical properties of carbon films obtained by methane pyrolysis in an electric field”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 428–431 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
О. В. Коплак, Э. А. Штейнман, А. Н. Терещенко, Р. Б. Моргунов, “Влияние пластической деформации на магнитные свойства и дислокационную люминесценцию изотопно-обогащенного кремния $^{29}$Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1175–1179 ; O. V. Koplak, E. A. Steinman, A. N. Tereshchenko, R. B. Morgunov, “Effect of plastic deformation on the magnetic properties and dislocation luminescence of isotopically enriched silicon $^{29}$Si:B”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1140–1144 |
|
