|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. В. Стецюра, П. Г. Харитонова, А. В. Козловский, “Перспективы создания и использования гетерофазного материала CdS-FeS, полученного с применением метода Ленгмюра–Блоджетт”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 25:1 (2025), 93–105  |
| 2. |
С. В. Стецюра, П. Г. Харитонова, А. В. Козловский, “Модификация поверхности CdS при нанесении и отжиге структурированного металлом органического покрытия”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 199–204 |
| 3. |
Л. Д. Волковойнова, А. В. Козловский, В. В. Галушка, С. Б. Вениг, А. А. Сердобинцев, “Влияние скорости лазерной обработки на кристаллизацию кремния в двухслойной структуре алюминий/кремний на гибкой полиимидной подложке”, Письма в ЖТФ, 51:10 (2025), 52–56  |
|
2024 |
| 4. |
А. А. Сердобинцев, С. Б. Вениг, А. В. Козловский, Л. Д. Волковойнова, “Влияние изгиба на структурные свойства плёнок кристаллизованного кремния на гибких подложках”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 24:3 (2024), 290–296 |
1
|
|
2023 |
| 5. |
А. В. Козловский, С. В. Стецюра, “Особенности фотостимулированной адсорбции ферментов на полупроводниковую подложку”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 23:4 (2023), 316–327 |
| 6. |
А. В. Козловский, Н. А. Чуфарова, Д. Р. Байбикова, А. А. Сердобинцев, С. В. Стецюра, “Влияние соотношения компонентов в гетерогенном материале CdS–PbS на его фотоэлектрические характеристики и их стабильность во времени”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 636–639 |
| 7. |
П. Г. Харитонова, Е. Г. Глуховской, А. В. Козловский, С. В. Стецюра, “Фотоэлектрические характеристики и морфология поверхности сульфида кадмия, модифицированного арахинатом железа”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 518–521 |
|
2022 |
| 8. |
А. В. Козловский, С. В. Стецюра, “Особенности формирования органического полиэлектролитного слоя на освещаемой полупроводниковой подложке”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 22:3 (2022), 254–265 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
С. В. Стецюра, А. В. Козловский, Д. М. Митин, А. А. Сердобинцев, “Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 14–17 ; S. V. Stetsyura, A. V. Kozlowski, D. M. Mitin, A. A. Serdobintsev, “The influence of an amorphous silicon layer on the adsorption properties of a semiconductor structure under photostimulation conditions”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 12–15 |
|
2017 |
| 10. |
С. В. Стецюра, А. В. Козловский, И. В. Маляр, “Влияние типа проводимости кремниевой подложки на эффективность метода фотостимулированной адсорбции полиэлектролитов”, Письма в ЖТФ, 43:8 (2017), 26–33 ; S. V. Stetsyura, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar, “The influence of a silicon substrate conductivity type on the efficiency of photostimulated polyelectrolyte adsorption”, Tech. Phys. Lett., 43:4 (2017), 376–379 |
2
|
| 11. |
С. В. Стецюра, А. В. Козловский, “Влияние фотоэлектронных процессов в полупроводниковой подложке на адсорбцию поликатионных и полианионных молекул”, Письма в ЖТФ, 43:6 (2017), 15–22 ; S. V. Stetsyura, A. V. Kozlowski, “The influence of photoelectron processes in a semiconductor substrate on the adsorption of polycationic and polyanionic molecules”, Tech. Phys. Lett., 43:3 (2017), 285–288 |
7
|
|
2015 |
| 12. |
С. В. Стецюра, Е. Г. Глуховской, А. В. Козловский, И. В. Маляр, “Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фоточувствительных пленок CdS”, ЖТФ, 85:5 (2015), 116–122 ; S. V. Stetsyura, E. G. Glukhovskoy, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar, “Fabrication of ultrathin impurity source to minimize radiation-induced losses in photosensitive films of CdS”, Tech. Phys., 60:5 (2015), 746–752 |
5
|
| 13. |
С. В. Стецюра, А. В. Козловский, И. В. Маляр, “Электрическая пассивация поверхности кремния полиэлектролитным покрытием”, Письма в ЖТФ, 41:4 (2015), 24–32 ; S. V. Stetsyura, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar, “Electrical passivation of silicon surface by a polyelectrolyte coating”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 168–171 |
8
|
|
