|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. Ю. Аксенов, А. С. Власов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Н. В. Павлов, Е. В. Пирогов, Р. А. Салий, И. П. Сошников, А. С. Щенин, А. М. Минтаиров, “Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 130–135  |
|
2019 |
| 2. |
Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1592–1597  ; R. V. Levin, B. V. Pushnii, I. V. Fedorov, A. A. Usikova, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Examination of the capabilities of metalorganic vapor-phase epitaxy in fabrication of thin InAs/GaSb layers”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514 |
1
|
| 3. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 9–12 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Intraband radiation absorption by free holes in GaAs/InGaAs quantum wells with taking into account non-sphericity of $kP$ hamiltonian”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 481–484 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, А. Г. Зегря, В. Е. Бугров, “Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 207–220 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, A. G. Zegrya, V. E. Bugrov, “Intraband radiation absorption by holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP quantum wells”, Semiconductors, 52:2 (2018), 195–208 |
3
|
|
2015 |
| 5. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 617–627 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Effect of nonparabolicity of the electron and light-hole energy spectrum on the optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs$_{0.86}$Sb$_{0.14}$/AlSb quantum wells”, Semiconductors, 49:5 (2015), 604–614 |
3
|
|
2014 |
| 6. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1217–1227 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Optical properties of heterostructures with deep AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb quantum wells”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1185–1195 |
4
|
| 7. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Влияние непараболичности энергетического спектра носителей заряда на оптические характеристики гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb”, Письма в ЖТФ, 40:20 (2014), 1–8 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “The influence of the nonparabolic energy spectrum of charge carriers on the optical characteristics of AlSb/InAs$_{0.84}$Sb$_{0.16}$/AlSb heterostructures with deep quantum wells”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 883–886 |
|
2012 |
| 8. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012), 32–37 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Radiative recombination of hot carriers in narrow-gap semiconductors”, Semiconductors, 46:1 (2012), 29–34 |
|
