|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. Н. Черенёв, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, Ш. А. Юсупова, Е. И. Белякова, М. И. Векслер, “Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 326–332   |
|
2019 |
| 2. |
А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, И. В. Грехов, “Численное и экспериментальное исследования оптимизированного $p$-SOS-диода”, ЖТФ, 89:3 (2019), 409–415 ; A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, I. V. Grekhov, “Numerical and experimental study of an optimized $p$-SOS diode”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 373–379 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
И. В. Грехов, А. Г. Люблинский, Е. И. Белякова, “Мощный диодный наносекундный размыкатель тока на основе $p$-кремния ($p$-SOS)”, ЖТФ, 86:3 (2016), 106–109 ; I. V. Grekhov, A. G. Lyublinsky, E. I. Belyakova, “Powerful diode nanosecond current opening switch made of $p$-silicon ($p$-SOS)”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 424–427 |
4
|
|
2014 |
| 4. |
И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. Н. Ломасов, Ш. А. Юсупова, Е. И. Белякова, “Формирование профилей распределения мелких доноров при протонном облучении кремния”, Письма в ЖТФ, 40:23 (2014), 67–73 ; I. V. Grekhov, L. S. Kostina, V. N. Lomasov, Sh. A. Yusupova, E. I. Belyakova, “The formation of shallow-donor distribution profiles in proton irradiation of silicon”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1069–1071 |
5
|
|
2013 |
| 5. |
М. М. Мездрогина, Л. С. Костина, Е. И. Белякова, Р. В. Кузьмин, “Интенсивность излучения в видимой и инфракрасной областях спектра в структурах на основе кремния, сформированных прямым сращиванием с одновременным легированием эрбием (Er) и европием (Eu)”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1204–1209 ; M. M. Mezdrogina, L. S. Kostina, E. I. Belyakova, R. V. Kuz'min, “Emission intensity in the visible and IR spectral ranges from Si-based structures formed by direct bonding with simultaneous doping with erbium (Er) and europium (Eu)”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1193–1197 |
2
|
|
2011 |
| 6. |
И. В. Грехов, Е. И. Белякова, Л. С. Костина, А. В. Рожков, Т. С. Аргунова, Г. А. Оганесян, “Исследование процесса обратного восстановления Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ гетеродиодов, изготовленных прямым сращиванием”, Письма в ЖТФ, 37:13 (2011), 83–89 ; I. V. Grekhov, E. I. Belyakova, L. S. Kostina, A. V. Rozhkov, T. S. Argunova, G. A. Oganesyan, “Reverse recovery of Si/Si$_{1-x}$Ge$_x$ heterodiodes fabricated by direct bonding”, Tech. Phys. Lett., 37:7 (2011), 632–635 |
|
