|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, З. А. Исаханов, Р. М. Ёркулов, “Формирование наноразмерных пленок SiO$_{2}$ на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O$_{2}^{+}$”, ЖТФ, 89:6 (2019), 935–937   ; B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, Z. A. Isakhanov, R. M. Yorkulov, “Formation of nanodimensional SiO$_{2}$ films on the surface of a free si/cu film system by O$_{2}^{+}$ ion implantation”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 881–883 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
Б. Е. Умирзаков, З. А. Исаханов, М. К. Рузибаева, З. Э. Мухтаров, А. С. Халматов, “Изучение профилей распределения атомов по глубине свободных нанопленочных систем типа Si–Me”, ЖТФ, 85:4 (2015), 123–125 ; B. E. Umirzakov, Z. A. Isakhanov, M. K. Ruzibaeva, Z. È. Мuhtarov, A. S. Khalmatov, “Analysis of profiles of atomic distribution over the depth of Si–Me free nanofilm systems”, Tech. Phys., 60:4 (2015), 600–602 |
3
|
| 3. |
З. А. Исаханов, Ю. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, С. Б. Донаев, “Влияние бомбардировки ионов O$_2^+$ на состав и структуру TiN”, ЖТФ, 85:2 (2015), 156–158 ; Z. A. Isakhanov, Yu. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, S. B. Donaev, “Effect of the O$_2^+$-ion bombardment on the TiN composition and structure”, Tech. Phys., 60:2 (2015), 313–315 |
8
|
|
2013 |
| 4. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева, А. К. Ташатов, С. Б. Донаев, Б. Б. Мавлянов, “Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации”, ЖТФ, 83:9 (2013), 146–149 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. K. Ruzibaeva, A. K. Tashatov, S. B. Donaev, B. B. Mavlyanov, “Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods”, Tech. Phys., 58:9 (2013), 1383–1386 |
15
|
|
2011 |
| 5. |
З. А. Исаханов, З. Э. Мухтаров, Б. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, “Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии”, ЖТФ, 81:4 (2011), 117–120 ; Z. A. Isakhanov, Z. È. Мuhtarov, B. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, “Optimum ion implantation and annealing conditions for stimulating secondary negative ion emission”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 546–549 |
17
|
|
