|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Антонов, А. Н. Большаков, Д. В. Гусейнов, А. А. Никольская, А. И. Белов, Д. В. Мастеров, С. А. Павлов, А. Е. Парафин, Д. И. Тетельбаум, С. С. Уставщиков, П. А. Юнин, Д. А. Савинов, “Эффекты анизотропного рассеяния в тонких пленках YBCO”, Физика твердого тела, 67:7 (2025), 1254–1261  |
|
2019 |
| 2. |
Д. И. Тетельбаум, В. С. Туловчиков, Ю. А. Менделева, Е. В. Курильчик, А. А. Никольская, А. В. Степанов, “Роль границы раздела водная среда–твердое тело в передаче возбуждения кремния светом”, ЖТФ, 89:9 (2019), 1427–1433  ; D. I. Tetelbaum, V. S. Tulovchikov, Yu. A. Mendeleva, E. V. Kuril'chik, A. A. Nikolskaya, A. V. Stepanov, “Role of the solid–aqueous medium interface in transferring light-induced excitation of silicon”, Tech. Phys., 64:9 (2019), 1350–1356 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 702–707 ; A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 |
8
|
|
2017 |
| 4. |
Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 87–92 ; D. S. Korolev, A. A. Nikolskaya, N. O. Krivulin, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, N. A. Sobolev, M. Kumar, “Formation of hexagonal 9$R$ silicon polytype by ion implantation”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769 |
9
|
|
