|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ф. Ю. Соломкин, А. С. Орехов, С. В. Новиков, Н. А. Архарова, Г. Н. Исаченко, Н. В. Зайцева, Н. В. Шаренкова, А. Ю. Самунин, В. В. Клечковская, А. Т. Бурков, “Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 770–773   ; F. Yu. Solomkin, A. S. Orekhov, S. V. Novikov, N. A. Arkharova, G. N. Isachenko, N. V. Zaitseva, N. V. Sharenkova, A. Yu. Samunin, V. V. Klechkovskaya, A. Burkov, “On the structure and thermoelectric properties of CoSi obtained from a supersaturated solution–melt in Sn”, Semiconductors, 53:6 (2019), 761–764 |
4
|
|
2018 |
| 2. |
A. S. Alekseev, I. N. Domnin, A. B. Ivanov, N. A. Arkharova, V. V. Klechkovskaya, “Increase of polymeric chain conjugation length in UV irradiated monolayer of hydroxyalkadiynyl N-arylcarbamate derivative”, Mendeleev Commun., 28:6 (2018), 635–637  |
3
|
|
2017 |
| 3. |
А. С. Орехов, В. В. Клечковская, Е. В. Ракова, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, Л. В. Бочков, Г. Н. Исаченко, “Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 925–928 ; A. S. Orekhov, V. V. Klechkovskaya, E. V. Rakova, F. Yu. Solomkin, S. V. Novikov, L. V. Bochkov, G. N. Isachenko, “The dependence of the microstructure and thermoelectric properties of germanium-doped higher manganese silicide crystals”, Semiconductors, 51:7 (2017), 887–890 |
3
|
| 4. |
А. С. Орехов, Т. С. Камилов, Б. В. Ибрагимова, Г. И. Ивакин, В. В. Клечковская, “Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 740–743 ; A. S. Orekhov, T. S. Kamilov, B. V. Ibragimova, G. I. Ivakin, V. V. Klechkovskaya, “Structure of thermoelectric films of higher manganese silicide on silicon according to electron microscopy data”, Semiconductors, 51:6 (2017), 706–709 |
7
|
|
2016 |
| 5. |
Yu. A. Dyakova, M. A. Marchenkova, A. Yu. Seregin, L. R. Imamova, E. Yu. Tereshchenko, V. V. Klechkovskaya, A. S. Alekseev, M. V. Kovalchuk, “Orientation of donor–acceptor dyad molecules in Langmuir–Schaefer monolayers revealed by X-ray reflectometry”, Mendeleev Commun., 26:2 (2016), 149–151 |
8
|
|
2013 |
| 6. |
Т. С. Камилов, В. В. Клечковская, Б. З. Шарипов, А. Тураев, “Исследование индуцированной фото-термопроводимости в гетеропереходах Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и
Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M”, ЖТФ, 83:8 (2013), 98–104 ; T. S. Kamilov, V. V. Klechkovskaya, B. Z. Sharipov, A. Turaev, “Analysis of the induced photothermal conduction in the Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ and Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M heterojunctions”, Tech. Phys., 58:8 (2013), 1182–1188 |
2
|
| 7. |
Т. С. Камилов, В. В. Клечковская, Б. З. Шарипов, Г. И. Ивакин, “Механизм насыщения фототока и возникновения отрицательной дифференциальной фотопроводимости в гетеропереходах Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ и Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М”, ЖТФ, 83:6 (2013), 128–133 ; T. S. Kamilov, V. V. Klechkovskaya, B. Z. Sharipov, G. I. Ivakin, “Photocurrent saturation and negative differential photoconductivity in Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Мn$_4$Si$_7$ and Мn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–М heterojunctions”, Tech. Phys., 58:6 (2013), 902–906 |
1
|
|
2011 |
| 8. |
Д. М. Шукурова, А. С. Орехов, Б. З. Шарипов, В. В. Клечковская, Т. С. Камилов, “Исследование фотодиодов на основе Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ и Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M”, ЖТФ, 81:10 (2011), 44–49 ; D. M. Shukurova, A. S. Orekhov, B. Z. Sharipov, V. V. Klechkovskaya, T. S. Kamilov, “Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–Mn$_4$Si$_7$ and Mn$_4$Si$_7$–Si$\langle$Mn$\rangle$–M photodiodes”, Tech. Phys., 56:10 (2011), 1423–1428 |
6
|
|
