|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. И. Стручков, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Анализ параметров индивидуальных каскадов столкновений при облучении Ga$_2$O$_3$ атомарными и молекулярными ионами”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023), 738–742   |
|
2022 |
| 2. |
П. А. Карасев, К. В. Карабешкин, А. И. Стручков, А. И. Печников, В. И. Николаев, В. Д. Андреева, А. И. Титов, “Накопление структурных нарушений при облучении $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ ионами P и PF$_4$”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 882–887 ; P. A. Karaseov, K. V. Karabeshkin, A. I. Struchkov, A. I. Pechnikov, V. I. Nikolaev, V. D. Andreeva, A. I. Titov, “Radiation damage accumulation in $\alpha$-Ga$_2$O$_3$ under P and PF$_4$ ion bombardment”, Semiconductors, 57:10 (2023), 459–464 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
А. И. Титов, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Стручков, “Влияют ли химические эффекты на накопление структурных нарушений при имплантации в GaN ионов фтора?”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1455–1458 ; A. I. Titov, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Struchkov, “Do chemical effects affect the accumulation of structural damage during the implantation of fluorine ions into GaN?”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1415–1418 |
7
|
|
