|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Э. М. Годжаев, Р. Л. Мамедова, А. М. Ахмедова, С. Н. Гарибова, “Комплексная диэлектрическая проницаемость и оптические характеристики композитов полипропилен + Na$^+$-монтмориллонит”, ЖТФ, 92:6 (2022), 810–814   |
| 2. |
С. Н. Гарибова, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, Р. И. Алекперов, “Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 291–296 |
|
2019 |
| 3. |
С. У. Атаева, С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, С. Н. Гарибова, А. С. Гусейнова, “Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1655–1663 ; S. U. Atayeva, S. I. Mekhtieva, A. I. Isayev, S. N. Garibova, A. S. Huseynova, “Effect of the samarium impurity on the local structure of Se$_{95}$Te$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor and current passage through Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te structures”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1637–1645 |
1
|
| 4. |
С. Н. Гарибова, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, “Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1540–1543 ; S. N. Garibova, A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. U. Atayeva, “Structure of Se$_{95}$As$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor doped by EuF$_3$ impurity”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1507–1510 |
4
|
|
2014 |
| 5. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 158–162 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Role of charged defects in the photoconductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor with the EuF$_3$ impurity”, Semiconductors, 48:2 (2014), 148–151 |
|
2012 |
| 6. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1138–1142 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Conductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor layers containing the EuF$_3$ rare-earth impurity in high electric fields”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1114–1118 |
2
|
|
