|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Л. К. Марков, М. В. Кукушкин, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, Г. В. Иткинсон, О. В. Осипов, “Высоковольтные светодиодные кристаллы AlInGaN”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1562–1567   ; L. K. Markov, M. V. Kukushkin, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, G. V. Itkinson, O. V. Osipov, “High-voltage alingan LED chips”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1529–1534 |
|
2014 |
| 2. |
Д. А. Закгейм, Г. В. Иткинсон, М. В. Кукушкин, Л. К. Марков, О. В. Осипов, А. С. Павлюченко, И. П. Смирнова, А. Е. Черняков, Д. А. Бауман, “Мощные светодиодные кристаллы AlGaInN с двухуровневой металлизацией”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1287–1293 ; D. A. Zakgeim, G. V. Itkinson, M. V. Kukushkin, L. K. Markov, O. V. Osipov, A. S. Pavluchenko, I. P. Smirnova, A. E. Chernyakov, D. A. Bauman, “High-power AlGaInN LED chips with two-level metallization”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1254–1259 |
2
|
|
