|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, М. А. Базалевский, П. М. Деев, А. В. Червяков, “Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 708–711   ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, I. P. Kazakov, M. A. Bazalevsky, P. M. Deev, A. V. Chervyakov, “Photoreflectance spectroscopy study of LT-GaAs layers grown on Si and GaAs substrates”, Semiconductors, 52:7 (2018), 849–852 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
Ю. Г. Садофьев, В. П. Мартовицкий, М. А. Базалевский, А. В. Клековкин, Д. В. Аверьянов, И. С. Васильевский, “Гетероструктуры Ge/GeSn, выращенные на Si (100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 128–133 ; Yu. G. Sadof'ev, V. P. Martovitskii, M. A. Bazalevsky, A. V. Klekovkin, D. V. Averyanov, I. S. Vasil'evskii, “Ge/GeSn heterostructures grown on Si (100) by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:1 (2015), 124–129 |
11
|
|
