|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Р. А. Салий, И. С. Косарев, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 729–735   ; R. A. Salii, I. S. Kosarev, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots for GaAs solar cells: metal-organic vapor-phase epitaxy growth peculiarities and properties”, Semiconductors, 52:7 (2018), 870–876 |
2
|
|
