|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1636–1640   ; V. B. Kulikov, D. V. Maslov, A. R. Sabirov, A. A. Solodkov, A. L. Dudin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, I. V. Shukov, V. P. Chalyi, “NBn-photodiode based on InAsSb/AlAsSb alloys with a long-wavelength cutoff of 5 $\mu$m”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747 |
5
|
| 2. |
Г. Е. Яковлев, М. В. Дорохин, В. И. Зубков, А. Л. Дудин, А. В. Здоровейщев, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, “Особенности электрохимического вольт-фарадного профилирования арсенид-галлиевых светоизлучающих и pHEMT-структур с квантово-размерными областями”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 873–880 ; G. E. Yakovlev, M. V. Dorokhin, V. I. Zubkov, A. L. Dudin, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, “Specific features of the electrochemical capacitance–voltage profiling of GaAs LED and pHEMT structures with quantum-confined regions”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1004–1011 |
9
|
|
2012 |
| 3. |
О. Ф. Бутягин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, Д. М. Красовицкий, В. Б. Куликов, В. П. Чалый, А. Л. Дудин, О. Б. Чередниченко, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 81–87 ; O. F. Butyagin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, D. M. Krasovitsky, V. B. Kulikov, V. P. Chalyi, A. L. Dudin, O. B. Cherednichenko, “AlGaAs/GaAs multiquantum-well heterostructures for long-wavelength (8–10 $\mu$m) IR photodetectors”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 436–438 |
3
|
|
