|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. Б. Куликов, Д. В. Маслов, А. Р. Сабиров, А. А. Солодков, А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, И. В. Шуков, В. П. Чалый, “NBn-фотодиод на основе InAsSb/AlAsSb-твердых растворов с длинноволновой границей 5 мкм”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1636–1640   ; V. B. Kulikov, D. V. Maslov, A. R. Sabirov, A. A. Solodkov, A. L. Dudin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, I. V. Shukov, V. P. Chalyi, “NBn-photodiode based on InAsSb/AlAsSb alloys with a long-wavelength cutoff of 5 $\mu$m”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1743–1747 |
5
|
|
2014 |
| 2. |
В. Б. Куликов, В. П. Чалый, “Фоточувствительность структур с квантовыми ямами при нормальном падении излучения”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 225–228 ; V. B. Kulikov, V. P. Chalyi, “Photosensitivity of structures with quantum wells under normal radiation incidence”, Semiconductors, 48:2 (2014), 212–215 |
|
2012 |
| 3. |
В. Б. Куликов, “Уточненная модель вольт-амперной характеристики фотоприемников на основе структур с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1181–1185 ; V. B. Kulikov, “Refined model for the current-voltage characteristics of quantum-well infrared photodetectors”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1158–1162 |
| 4. |
О. Ф. Бутягин, Н. И. Кацавец, И. В. Коган, Д. М. Красовицкий, В. Б. Куликов, В. П. Чалый, А. Л. Дудин, О. Б. Чередниченко, “AlGaAs/GaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для длинноволновых ИК-фотоприемников, работающих в спектральной области 8–10 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 81–87 ; O. F. Butyagin, N. I. Katsavets, I. V. Kogan, D. M. Krasovitsky, V. B. Kulikov, V. P. Chalyi, A. L. Dudin, O. B. Cherednichenko, “AlGaAs/GaAs multiquantum-well heterostructures for long-wavelength (8–10 $\mu$m) IR photodetectors”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 436–438 |
3
|
|
