|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. В. Леонов, А. А. Малых, В. Н. Мордкович, М. И. Павлюк, “Тонкопленочный кремниевый магниточувствительный полевой транзистор холловского типа с расширенным до 350$^\circ$C диапазоном рабочих температур”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 30–36   ; A. V. Leonov, A. A. Malykh, V. N. Mordkovich, M. I. Pavlyuk, “A magnetosensitive thin-film silicon Hall-type field-effect transistor with operating temperature range expanded up to 350$^\circ$C”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 71–74 |
5
|
|
2012 |
| 2. |
А. В. Леонов, А. Д. Мокрушин, Н. М. Омельяновская, “Особенности подвижности электронов в тонком слое кремния в структуре диэлектрик–кремний–диэлектрик”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 494–499 ; A. V. Leonov, A. D. Mokrushin, N. M. Omelyanovskaya, “Features of electron mobility in a thin silicon layer in an insulator–silicon–insulator structure”, Semiconductors, 46:4 (2012), 478–483 |
2
|
|
