|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1243–1248   ; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1194–1199 |
2
|
| 2. |
Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1125–1130 ; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086 |
1
|
| 3. |
С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 234–239 ; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, A. G. Tandoev, J. W. Palmour, “Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231 |
|
2016 |
| 4. |
М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 668–673 ; M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 656–661 |
1
|
| 5. |
М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, А. Г. Тандоев, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 408–414 ; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, A. G. Tandoev, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base”, Semiconductors, 50:3 (2016), 404–410 |
7
|
|
2013 |
| 6. |
Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 302–309 ; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Violation of neutrality and occurrence of $S$-shaped current-voltage characteristic for doped semiconductors under double injection”, Semiconductors, 47:3 (2013), 327–334 |
1
|
| 7. |
В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, J. W. Palmour, “Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 118–123 ; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, J. W. Palmour, “Specific features of the steady-state carrier distribution and holding current in an optically triggered SiC thyristor”, Semiconductors, 47:1 (2013), 116–121 |
3
|
|
2012 |
| 8. |
М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1224–1229 ; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Overheating of an optically triggered SiC thyristor during switch-on and turn-on spread”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1201–1206 |
3
|
|
2011 |
| 9. |
М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока”, Письма в ЖТФ, 37:8 (2011), 7–12 ; M. E. Levinshtein, P. A. Ivanov, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Features of degradation in high-voltage 4H-SiC $p$–$i$–$n$ diodes under the action of forward current pulses”, Tech. Phys. Lett., 37:4 (2011), 347–349 |
|
