|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252   ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
2012 |
| 2. |
А. А. Петухов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C”, ЖТФ, 82:1 (2012), 73–76 ; A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electrical and electroluminescent properties of InAsSb-Based LEDs ($\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m) in the temperature interval 20–200$^\circ$C”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 69–73 |
3
|
|
2011 |
| 3. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах”, ЖТФ, 81:4 (2011), 91–96 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescent characteristics of InGaAsSb/GaAlAsSb heterostructure Mid-IR LEDs at high temperatures”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 520–525 |
6
|
|
