|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 225–228   |
|
2017 |
| 2. |
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090 ; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046 |
|
2015 |
| 3. |
А. А. Лебедев, С. Ю. Давыдов, Л. М. Сорокин, Л. В. Шахов, “Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015), 89–94 ; A. A. Lebedev, S. Yu. Davydov, L. M. Sorokin, L. V. Shakhov, “Fabrication of quasi-superlattices at the interface between 3C-SiC epitaxial layer and substrates of hexagonal SiC polytypes by sublimation epitaxy in vacuum”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1156–1158 |
5
|
|
