|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. Н. Алексеев, В. В. Мамаев, С. И. Петров, “Исследование влияния сурфактанта Ga при высокотемпературной аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии слоев AlN на свойства нитридных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1507–1509   ; A. N. Alekseev, V. V. Mamaev, S. I. Petrov, “Study of the influence of Ga as a surfactant during the high-temperature ammonia MBE of AlN layers on the properties of nitride heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1453–1455 |
1
|
|
2015 |
| 2. |
А. Н. Алексеев, Д. М. Красовицкий, С. И. Петров, В. П. Чалый, В. В. Мамаев, В. Г. Сидоров, “Особенности использования аммиачной и плазменной МЛЭ для получения III–N HEMT гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 94–97 ; A. N. Alekseev, D. M. Krasovitsky, S. I. Petrov, V. P. Chalyi, V. V. Mamaev, V. G. Sidorov, “Specific features of NH$_3$ and plasma-assisted MBE in the fabrication of III-N HEMT heterostructures”, Semiconductors, 49:1 (2015), 92–94 |
4
|
|
