|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
И. З. Индутный, В. И. Минько, Н. В. Сопинский, П. М. Литвин, “Плазмон-стимулированное фотолегирование в тонкослойной структуре As$_{2}$S$_{3}$–Ag”, Оптика и спектроскопия, 127:5 (2019), 865–869   ; I. Z. Indutnii, V. I. Mynko, N. V. Sopinskii, P. M. Litvin, “Plasmon-stimulated photodoping in the thin-layer As$_{2}$S$_{3}$–Ag structure”, Optics and Spectroscopy, 127:5 (2019), 938–942 |
7
|
|
2016 |
| 2. |
Н. Е. Корсунская, Е. П. Шульга, Т. Р. Стара, П. М. Литвин, В. А. Бондаренко, “Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 112–119 ; N. E. Korsunskaya, E. P. Shulga, T. R. Stara, P. M. Litvin, V. A. Bondarenko, “Mechanisms of the degradation of Schottky-barrier photodiodes based on ZnS single crystals”, Semiconductors, 50:1 (2016), 112–119 |
3
|
|
2012 |
| 3. |
В. В. Стрельчук, А. С. Николенко, П. М. Литвин, В. П. Кладько, А. И. Гудыменко, М. Я. Валах, З. Ф. Красильник, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, “Эффекты латерального упорядочения самоорганизованных наноостровков SiGe, выращенных на напряженных буферных слоях Si$_{1-x}$Ge$_x$”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 665–672 ; V. V. Strelchuk, A. S. Nikolenko, P. M. Litvin, V. P. Klad'ko, A. I. Gudymenko, M. Ya. Valakh, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, “Effects of the lateral ordering of self-assembled SiGe nanoislands grown on strained Si$_{1-x}$Ge$_x$ buffer layers”, Semiconductors, 46:5 (2012), 647–654 |
4
|
|
