|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 794–800   ; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 |
3
|
|
2014 |
| 2. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Васильева, Н. А. Пихтин, А. В. Рожков, А. В. Горбатюк, В. В. Золотарев, Д. А. Веселов, А. В. Жаботинский, А. А. Петухов, И. С. Тарасов, Т. А. Багаев, М. В. Зверков, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Симаков, “Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890–910 нм”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 716–718 ; S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Vasil'eva, N. A. Pikhtin, A. V. Rozhkov, A. V. Gorbatyuk, V. V. Zolotarev, D. A. Veselov, A. V. Zhabotinsky, A. A. Petukhov, I. S. Tarasov, T. A. Bagaev, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Simakov, “On the control efficiency of a high-power laser thyristor emitting in the 890–910 nm spectral range”, Semiconductors, 48:5 (2014), 697–699 |
18
|
|
2013 |
| 3. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, К. В. Калинина, Н. Д. Стоянов, Х. М. Салихов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1270–1275 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, Kh. M. Salikhov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “High-temperature luminescence in an $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb light-emitting heterostructure with a high potential barrier”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1258–1263 |
2
|
|
2012 |
| 4. |
А. А. Петухов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C”, ЖТФ, 82:1 (2012), 73–76 ; A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electrical and electroluminescent properties of InAsSb-Based LEDs ($\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m) in the temperature interval 20–200$^\circ$C”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 69–73 |
3
|
|
2011 |
| 5. |
А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах”, ЖТФ, 81:4 (2011), 91–96 ; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescent characteristics of InGaAsSb/GaAlAsSb heterostructure Mid-IR LEDs at high temperatures”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 520–525 |
6
|
| 6. |
А. С. Головин, А. А. Петухов, С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа”, Письма в ЖТФ, 37:11 (2011), 15–19 ; A. S. Golovin, A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, Yu. P. Yakovlev, “LEDs based on InAsSbP/InAsSb heterostructures ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) for carbon monoxide detection”, Tech. Phys. Lett., 37:6 (2011), 497–499 |
|
