|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, В. В. Литвинов, В. П. Маркевич, Н. В. Абросимов, А. С. Камышан, А. В. Гиро, К. А. Соляникова, “Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1143–1145 ; Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova, “Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1122–1124 |
|
2012 |
| 2. |
В. В. Литвинов, А. Н. Петух, Ю. М. Покотило, В. П. Маркевич, С. Б. Ластовский, “Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 629–632 ; V. V. Litvinov, A. N. Petukh, Yu. M. Pokotilo, V. P. Markevich, S. B. Lastovsky, “Formation and annealing of radiation defects in tin-doped $p$-type germanium crystals”, Semiconductors, 46:5 (2012), 611–614 |
2
|
|