|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. В. Румянцев, М. А. Фадеев, С. В. Морозов, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, А. М. Кадыков, И. В. Тузов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1679–1684   ; V. V. Rumyantsev, M. A. Fadeev, S. V. Morozov, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, A. M. Kadykov, I. V. Tuzov, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Long-wavelength stimulated emission and carrier lifetimes in HgCdTe-based waveguide structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1651–1656 |
7
|
|
2015 |
| 2. |
Д. В. Козлов, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, К. Е. Кудрявцев, В. И. Гавриленко, “Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 192–195 ; D. V. Kozlov, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, K. E. Kudryavtsev, V. I. Gavrilenko, “Effect of the direct capture of holes with the emission of optical phonons on impurity-photoconductivity relaxation in $p$-Si:B”, Semiconductors, 49:2 (2015), 187–190 |
4
|
| 3. |
В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, В. В. Румянцев, И. В. Тузов, “Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в $n$-GaAs, обусловленной остыванием электронов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 117–121 ; V. Ya. Aleshkin, S. V. Morozov, V. V. Rumyantsev, I. V. Tuzov, “Observation of dynamics of impurity photoconductivity in $n$-GaAs caused by electron cooling”, Semiconductors, 49:1 (2015), 113–117 |
3
|
|
