|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2014 |
| 1. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692   ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 |
26
|
|
2002 |
| 2. |
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, “Высокая интенсивность межзонных электронных переходов в двухбарьерных структурах с высокочастотным электрическим полем”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 92–95 ; E. I. Golant, A. B. Pashkovskii, “High intensity of interband transitions in double-barrier structures with a high-frequency electric field”, JETP Letters, 75:2 (2002), 83–86  |
|
1999 |
| 3. |
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, “Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах”, ТМФ, 120:2 (1999), 332–341  ; E. I. Golant, A. B. Pashkovskii, “Application restrictions for two-level models of the resonance interaction of electrons with an alternating electric field in two-barrier structures”, Theoret. and Math. Phys., 120:2 (1999), 1094–1101  |
11
|
|
1978 |
| 4. |
Е. И. Голант, “О сопряженных семействах разностных схем для уравнений параболического типа с младшими членами”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 18:5 (1978), 1162–1169  ; E. I. Golant, “Conjugate families of difference schemes for equations of parabolic type with lowest terms”, U.S.S.R. Comput. Math. Math. Phys., 18:5 (1978), 88–95 |
14
|
|
