|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
Л. А. Косяченко, Н. С. Юрценюк, И. М. Раренко, В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук, З. И. Захарук, Е. В. Грушко, “Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 907–915   ; L. A. Kosyachenko, N. S. Yurtsenyuk, I. M. Rarenko, V. M. Skljarchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko, “Charge transport mechanisms in Schottky diodes based on low-resistance CdTe:Mn”, Semiconductors, 47:7 (2013), 916–924 |
4
|
|
2012 |
| 2. |
Л. А. Косяченко, Е. В. Грушко, Т. И. Микитюк, “Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 482–486 ; L. A. Kosyachenko, E. V. Grushko, T. I. Mikityuk, “Absorptivity of semiconductors used in the production of solar cell panels”, Semiconductors, 46:4 (2012), 466–470 |
11
|
| 3. |
Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, С. В. Мельничук, О. Л. Маслянчук, Е. В. Грушко, О. В. Склярчук, “Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 389–395 ; L. A. Kosyachenko, V. M. Skljarchuk, S. V. Mel'nichuk, O. L. Maslyanchuk, E. V. Grushko, O. V. Sklyarchuk, “Effect of the concentration of uncompensated impurities on the properties of CdTe-based X- and $\gamma$-ray detectors”, Semiconductors, 46:3 (2012), 374–381 |
3
|
|
