|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
В. В. Вайнберг, В. М. Васецкий, Ю. Н. Гуденко, В. Н. Порошин, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, “Долговременная релаксация фотопроводимости в гетероструктурах $n$-InGaAs/GaAs со связанными квантовыми ямами при межзонном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1609–1612   |
| 2. |
Н. В. Байдусь, В. В. Вайнберг, Б. Н. Звонков, А. С. Пилипчук, В. Н. Порошин, О. Г. Сарбей, “Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 649–654 ; N. V. Baidus, V. V. Vainberg, B. N. Zvonkov, A. S. Pilipchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbeǐ, “Transport properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with $\delta$-doped quantum wells”, Semiconductors, 46:5 (2012), 631–636 |
10
|
|
