|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, “Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 235–241  |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878  |
| 3. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в кремниевых фотодиодах с квантовыми точками Ge гибридными плазмонными и диэлектрическими модами планарного волновода”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024), 386–392 |
|
2021 |
| 4. |
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Усиление фототока в слоях квантовых точек Ge/Si модами двумерного фотонного кристалла”, Письма в ЖЭТФ, 113:8 (2021), 501–506 ; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Increase in the photocurrent in layers of Ge/Si quantum dots by modes of a two-dimensional photonic crystal”, JETP Letters, 113:8 (2021), 498–503   |
4
|
| 5. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, “Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 596–601 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, “Effect of adhesive layers on photocurrent enhancement in near-infrared quantum-dot photodetectors coupled with metal-nanodisk arrays”, Semiconductors, 55:8 (2021), 654–659 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля металлическими субволновыми решетками на кремнии в ближнем ИК-диапазоне”, Письма в ЖЭТФ, 110:6 (2019), 393–399 ; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Plasmonic field enhancement by metallic subwave lattices on silicon in the near-infrared range”, JETP Letters, 110:6 (2019), 411–416 |
4
|
| 7. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, “Плазмонное усиление поля в фотоприемниках среднего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si с различной толщиной активной зоны”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 206–210 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, “Plasmon enhancement of the electric field in mid-infrared Ge/Si quantum-dot photodetectors with different thicknesses of the active region”, Semiconductors, 53:2 (2019), 195–199 |
1
|
|
2017 |
| 8. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 |
3
|
|
2015 |
| 9. |
A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Suppression of hole relaxation in small-sized Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:9 (2015), 678–682 ; JETP Letters, 102:9 (2015), 594–598 |
7
|
| 10. |
А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. А. Блошкин, В. А. Армбристер, А. В. Двуреченский, “Деформационно-стимулированная локализация электронов в слоях квантовых точек Ge/Si 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 101:11 (2015), 846–850 ; A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, V. A. Armbrister, A. V. Dvurechenskii, “Strain-induced localization of electrons in layers of the second-type Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 101:11 (2015), 750–753 |
9
|
|
2014 |
| 11. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. В. Двуреченский, “Процесс захвата дырок в гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1065–1069 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. V. Dvurechenskii, “On the process of hole trapping in Ge/Si heterostructures with Ge quantum dots”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1036–1040 |
4
|
|
2010 |
| 12. |
A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Double-occupancy probability and entanglement of two holes in double Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010), 43–46 ; JETP Letters, 92:1 (2010), 36–39 |
2
|
|
2009 |
| 13. |
А. И. Якимов, А. А. Блошкин, А. В. Двуреченский, “Экситоны в двойных квантовых точках Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 621–625 ; A. I. Yakimov, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, “Excitons in Ge/Si double quantum dots”, JETP Letters, 90:8 (2009), 569–573 |
18
|
|
2006 |
| 14. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев, “Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 189–194 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, “Binding of electron states in multilayer strained Ge/Si heterostructures with type-II quantum dots”, JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161 |
12
|
|
2003 |
| 15. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, А. А. Блошкин, “Бесфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 445–449 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, “Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots”, JETP Letters, 77:7 (2003), 376–380 |
30
|
|
