|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, В. А. Тимофеев, “Влияние Ge нанослоев и квантовых точек на фотолюминесцентные свойства гетероструктур с множественными квантовыми ямами GeSiSn/Si”, Физика твердого тела, 67:9 (2025), 1642–1646  |
|
2024 |
| 2. |
В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, И. Д. Лошкарев, Т. М. Залялов, Т. В. Перевалов, Д. Р. Исламов, “Фотоэлектрические свойства структур с множественными квантовыми ямами GeSiSn|Ge и релаксированными слоями GeSiSn”, Физика твердого тела, 66:11 (2024), 1871–1878  |
|
2022 |
| 3. |
Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. А. Караборчев, О. С. Комков, “Исследование влияния отжига и состава на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Si с множественными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 765–769 |
|
2018 |
| 4. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413 ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2016 |
| 5. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2015 |
| 6. |
А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, С. А. Тийс, “Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1630–1634 ; A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, S. A. Teys, “Initial growth stages of Si–Ge–Sn ternary alloys grown on Si (100) by low-temperature molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1582–1586 |
3
|
|
2007 |
| 7. |
А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов, “Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si”, Письма в ЖЭТФ, 86:5 (2007), 397–400 ; A. B. Talochkin, V. A. Markov, V. I. Mashanov, “Relaxation of mechanical stresses in an array of Ge quantum dots obtained in Si”, JETP Letters, 86:5 (2007), 344–347   |
2
|
|
