|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2327–2332   ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1407–1413 ; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 |
7
|
| 3. |
Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 643–650 ; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 |
8
|
|
2015 |
| 4. |
Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 925–931 ; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, “Nitridation of an unreconstructed and reconstructed $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ (0001) sapphire surface in an ammonia flow”, Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910 |
2
|
|
2007 |
| 5. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 553–557 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Role of lateral interaction in the homoepitaxy of GaAs on the (001)-$\beta(2\times 4)$ surface”, JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486   |
9
|
|
2006 |
| 6. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006), 596–600 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Asymmetric c(4×4) → γ(2×4) reconstruction phase transition on the (001)GaAs surface”, JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508 |
9
|
|
2005 |
| 7. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 766–770 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Critical phenomena in the β-(2×4) → α-(2×4) reconstruction transition on the (001) GaAs surface”, JETP Letters, 81:12 (2005), 629–633 |
12
|
|
