|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, А. Г. Темирязев, М. П. Темирязева, “Микромагнитные и магнитооптические свойства пленочных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл”, Физика твердого тела, 61:9 (2019), 1628–1633   ; A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, P. B. Demina, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, A. G. Temiryazev, M. P. Temiryazeva, “Micromagnetic and magneto-optical properties of ferromagnetic/heavy metal thin film structures”, Phys. Solid State, 61:9 (2019), 1577–1582 |
6
|
|
2017 |
| 2. |
Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина, “Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1443–1446 ; B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394 |
|
2014 |
| 3. |
Д. Е. Николичев, А. В. Боряков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, М. В. Дорохин, А. В. Кудрин, “Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 839–844 ; D. E. Nikolichev, A. V. Boryakov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, M. V. Dorokhin, A. V. Kudrin, “Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes”, Semiconductors, 48:6 (2014), 815–820 |
3
|
|
2013 |
| 4. |
О. С. Комков, Р. В. Докичев, А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, “Фотоотражение структур GaAs с дельта $\langle$Mn$\rangle$-легированным слоем”, Письма в ЖТФ, 39:22 (2013), 56–63 ; O. S. Komkov, R. V. Dokichev, A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, “Photoreflectance of GaAs structures with a Mn $\delta$-doped layer”, Tech. Phys. Lett., 39:11 (2013), 1008–1011 |
6
|
|
2012 |
| 5. |
Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, И. Л. Калентьева, А. В. Кудрин, “Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1527–1531 ; B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, M. N. Drozdov, Yu. N. Drozdov, I. L. Kalentyeva, A. V. Kudrin, “Fabrication and properties of GaAsSb/GaAs heterostructures doped with a magnetic impurity”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1493–1496 |
4
|
|
2010 |
| 6. |
С. И. Дорожкин, М. О. Скворцова, А. В. Кудрин, Б. Н. Звонков, Ю. А. Данилов, О. В. Вихрова, “Биения осцилляций Шубникова – де Гааза в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaA ”, Письма в ЖЭТФ, 91:6 (2010), 312–317 ; S. I. Dorozhkin, M. O. Skvortsova, A. V. Kudrin, B. N. Zvonkov, Yu. A. Danilov, O. V. Vikhrova, “Beatings of Shubnikov-de Haas oscillations in a two-dimensional hole system in an InGaAs quantum well”, JETP Letters, 91:6 (2010), 292–296   |
4
|
|
