|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Е. М. Труханов, C. А. Тийс, “Необычный механизм релаксации напряжений несоответствия в тонких нанопленках”, Письма в ЖТФ, 45:22 (2019), 28–31   ; E. M. Trukhanov, S. A. Teys, “An unusual mechanism of misfit stress relaxation in thin nanofilms”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1144–1147 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
А. С. Дерябин, Л. В. Соколов, Е. М. Труханов, К. Б. Фрицлер, “Достоверность выявления пронизывающих дислокаций в эпитаксиальных пленках с помощью структурно-чувствительного травления”, Письма в ЖТФ, 44:20 (2018), 30–36 ; A. S. Deryabin, L. V. Sokolov, E. M. Trukhanov, K. B. Fritzler, “The reliability of revealing threading dislocations in epitaxial films by structure-sensitive etching”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 916–918 |
1
|
| 3. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 4. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
2015 |
| 5. |
Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов, И. В. Сабинина, И. Д. Лошкарев, “Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101 ; Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Kolesnikov, E. M. Trukhanov, I. V. Sabinina, I. D. Loshkarev, “Density of dislocations in CdHgTe heteroepitaxial structures on GaAs(013) and Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2151–2158 |
18
|
| 6. |
К. Б. Фрицлер, Е. М. Труханов, В. В. Калинин, “Морфология, структурные и электрофизические свойства монокристаллов бестигельного Si(111)”, Письма в ЖТФ, 41:15 (2015), 33–39 ; K. B. Fritzler, E. M. Trukhanov, V. V. Kalinin, “Morphology and structural and electrical parameters of float-zone Si(111) single crystals”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 731–733 |
1
|
|
2010 |
| 7. |
C. А. Тийс, Е. М. Труханов, А. С. Ильин, А. К. Гутаковский, А. В. Колесников, “Начальные стадии эпитаксии Ge на Si(111) в квазиравновесных условиях роста”, Письма в ЖЭТФ, 92:6 (2010), 429–437 ; S. A. Teys, E. M. Trukhanov, A. S. Il'in, A. K. Gutakovskii, A. V. Kolesnikov, “Initial stages of Ge epitaxy on Si(111) under quasi-equilibrium growth conditions”, JETP Letters, 92:6 (2010), 388–395   |
13
|
|
