|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, А. В. Перетокин, Е. В. Скороходов, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, “Формирование диэлектрических резонаторов на основе светоизлучающих Ge/Si-гетероструктур”, ЖТФ, 95:1 (2025), 128–135   |
| 2. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. В. Мудрый, О. М. Бородавченко, А. О. Баженов, А. В. Двуреченский, В. Д. Живулько, “Фотолюминесценция гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками, созданными в процессе эпитаксии из ионно-молекулярных пучков”, Физика и техника полупроводников, 59:2 (2025), 55–59 |
|
2024 |
| 3. |
В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, А. Ф. Зиновьева, Е. Е. Родякина, А. В. Кацюба, П. А. Кучинская, К. Н. Астанкова, К. В. Барышникова, М. И. Петров, М. С. Михайловский, В. А. Вербус, М. В. Степихова, А. В. Новиков, “Высокодобротные состояния в спектрах излучения линейных периодических цепочек Si-нанодисков со встроенными GeSi-квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 238–241 |
|
2023 |
| 4. |
Ж. В. Смагина, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, Д. В. Шенгуров, А. В. Кацюба, А. В. Новиков, “Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 414–420 |
| 5. |
А. Н. Яблонский, Д. В. Юрасов, В. Е. Захаров, А. В. Перетокин, М. В. Степихова, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, С. А. Дьяков, А. В. Новиков, “Влияние условий оптического возбуждения на спектральные и временны́е характеристики излучения двумерных фотонных кристаллов с Ge(Si)-наноостровками”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 251–258 |
| 6. |
Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, В. А. Вербус, А. В. Новиков, “Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий”, Письма в ЖТФ, 49:10 (2023), 29–32 |
|
2022 |
| 7. |
В. А. Зиновьев, А. С. Дерябин, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF$_2$/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 748–752 |
|
2021 |
| 8. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, А. В. Перетокин, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе””, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1210–1215 |
2
|
| 9. |
В. А. Зиновьев, А. В. Кацюба, В. А. Володин, А. Ф. Зиновьева, С. Г. Черкова, Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, А. Ю. Крупин, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, “Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 725–728 ; V. A. Zinov'ev, A. V. Katsyuba, V. A. Volodin, A. F. Zinov'eva, S. G. Cherkova, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, A. Yu. Krupin, O. M. Borodavchenko, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, “Atomic structure and optical properties of CaSi$_2$ layers grown on CaF$_2$/Si substrates”, Semiconductors, 55:10 (2021), 808–811 |
5
|
|
2020 |
| 10. |
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715 ; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 |
7
|
|
2019 |
| 11. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, Б. И. Фомин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, С. А. Гусев, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1366–1371 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 |
7
|
|
2018 |
| 12. |
С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350 ; S. A. Rudin, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii, “Nucleation of three-dimensional Ge islands on a patterned Si(100) surface”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461 |
5
|
| 13. |
Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Г. К. Кривякин, Е. Е. Родякина, П. А. Кучинская, Б. И. Фомин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский, “Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1028–1033 ; Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 |
7
|
|
2015 |
| 14. |
A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015), 120–124   ; JETP Letters, 102:2 (2015), 108–112 |
8
|
| 15. |
N. P. Stepina, V. V. Valkovskii, Yu. M. Гальперин, Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, “Conductance through chains of Ge/Si quantum dots: crossover from
one-dimensional to quasi-one-dimensional hopping”, Письма в ЖЭТФ, 101:1 (2015), 24–28 ; JETP Letters, 101:1 (2015), 22–26 |
4
|
| 16. |
Ж. В. Смагина, А. В. Двуреченский, В. А. Селезнев, П. А. Кучинская, В. А. Армбристер, В. А. Зиновьев, Н. П. Степина, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. К. Гутаковский, “Линейные цепочки квантовых точек Ge/Si при росте на структурированной поверхности, сформированной ионным облучением”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 767–771 ; Zh. V. Smagina, A. V. Dvurechenskii, V. A. Seleznev, P. A. Kuchinskaya, V. A. Armbrister, V. A. Zinovyev, N. P. Stepina, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. K. Gutakovskii, “Linear chains of Ge/Si quantum dots grown on a prepatterned surface formed by ion irradiation”, Semiconductors, 49:6 (2015), 749–752 |
25
|
|
2004 |
| 17. |
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов, “Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 411–415 ; A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin, M. D. Efremov, “Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy”, JETP Letters, 79:7 (2004), 333–336 |
5
|
|
2001 |
| 18. |
А. В. Двуреченский, В. А. Зиновьев, Ж. В. Смагина, “Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si”, Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001), 296–299 ; A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinov'ev, Zh. V. Smagina, “Self-organization of an ensemble of Ge nanoclusters upon pulsed irradiation with low-energy ions during heteroepitaxy on Si”, JETP Letters, 74:5 (2001), 267–269 |
15
|
|
