|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. С. Хорошилов, Г. Э. Шайблер, Д. М. Казанцев, С. А. Рожков, В. Л. Альперович, “Перенос фотоэлектронов через границу $p$-GaAs(Cs, O)–вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 227–232   |
|
2023 |
| 2. |
Д. М. Казанцев, В. С. Хорошилов, Г. Э. Шайблер, В. Л. Альперович, “Перенос электронов через границу полупроводник-вакуум с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы”, Физика твердого тела, 65:8 (2023), 1271–1280 |
1
|
| 3. |
В. С. Хорошилов, Д. Е. Протопопов, Д. М. Казанцев, Г. Э. Шайблер, В. Л. Альперович, “Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из $p$-GaAs(Cs,O)”, Письма в ЖТФ, 49:1 (2023), 23–26 |
|
2018 |
| 4. |
В. В. Бакин, С. Н. Косолобов, С. А. Рожков, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 180–184 ; V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, S. A. Rozhkov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Atomic rearrangements and photoemission processes at a $p$-GaN(Cs)-vacuum interface”, JETP Letters, 108:3 (2018), 180–184   |
2
|
|
2016 |
| 5. |
С. А. Рожков, В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 128–132 ; S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, D. V. Gorshkov, S. N. Kosolobov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Optical phonon cascade emission by photoelectrons at a p-GaN (Cs,O)-vacuum interface”, JETP Letters, 104:2 (2016), 135–139 |
6
|
|
2015 |
| 6. |
В. В. Бакин, К. В. Торопецкий, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Нелокальный и локальный механизмы цезий-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 101:6 (2015), 414–418 ; V. V. Bakin, K. V. Toropetsky, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Nonlocal and local mechanisms of cesium-induced chemisorption of oxygen on a $p$-GaAs(Cs,O) surface”, JETP Letters, 101:6 (2015), 380–384 |
4
|
|
2004 |
| 7. |
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596 ; A. A. Pakhnevich, V. V. Bakin, A. V. Yaz'kov, G. È. Shaibler, S. V. Shevelev, O. E. Tereshchenko, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Energy distributions of photoelectrons emitted from $p$-GaN(Cs, O) with effective negative electron affinity”, JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483 |
21
|
|
2003 |
| 8. |
В. В. Бакин, А. А. Пахневич, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003), 197–201 ; V. V. Bakin, A. A. Pakhnevich, S. N. Kosolobov, G. È. Shaibler, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Refraction of thermalized electrons emitted ballistically into vacuum from $p^+$-GaAs-(Cs,O)”, JETP Letters, 77:4 (2003), 167–171 |
10
|
|
