Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Пашаев Ислам Герай оглы
Пашаев Ислам Герай оглы
доцент
кандидат физико-математических наук (1990)
Дата рождения: 1.03.1957
E-mail:
Ключевые слова: релаксации избыточного тока, восстановление, граница раздела, диоды Шоттки, ультразвуковое облучение, фоточувствительность, кремниевые солнечные элементы.
Коды УДК: 621.382

Основные темы научной работы

Влияние микроструктуры различных металлических слоев на электрофизические свойства диодов Шоттки на основе кремния.

Научная биография:

Доцент кафедры физической электроники, кандидат физико-математических наук.

https://www.mathnet.ru/rus/person72680
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2014
1. И. Г. Пашаев, “Исследования релаксации избыточного тока кремниевых диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1426–1429  mathnet  elib; I. G. Pashaev, “Study of the relaxation of the excess current in silicon Schottky diodes”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1391–1394 2
2013
2. И. Г. Пашаев, “Электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  761–764  mathnet  elib; I. G. Pashaev, “Electrical properties of silicon Schottky diodes containing metal films of various compositions”, Semiconductors, 47:6 (2013), 771–774 2
2012
3. И. Г. Пашаев, “Влияние различных обработок на свойства диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1108–1110  mathnet  elib; I. G. Pashaev, “Effect of various treatments on Schottky diode properties”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1085–1087 6

Организации