|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. Г. Буга, Н. В. Корнилов, М. С. Кузнецов, Н. В. Лупарев, Д. Д. Приходько, C. А. Тарелкин, Т. Е. Дроздова, С. И. Жолудев, С. А. Носухин, В. Д. Бланк, “Электролюминесценция NV-центров алмаза при температурах 450$^\circ$C–680$^\circ$C”, ЖТФ, 95:3 (2025), 520–528   |
|
2024 |
| 2. |
С. Г. Буга, И. Н. Куприянов, Ю. М. Борздов, М. С. Кузнецов, Н. В. Лупарев, С. А. Носухин, Б. А. Кульницкий, Д. Д. Приходько, Ю. Н. Пальянов, “Электрические свойства сильно легированных азотом синтетических монокристаллов алмаза, выращенных при высоком давлении и температуре”, Физика и техника полупроводников, 58:8 (2024), 424–433 |
| 3. |
С. Г. Буга, Н. В. Корнилов, М. С. Кузнецов, Н. В. Лупарев, Д. Д. Приходько, C. А. Тарелкин, Т. Е. Дроздова, В. Д. Бланк, “Высокотемпературный светоизлучающий алмазный $p$–$i$–$n$-диод на азот-вакансионных центрах люминесценции”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 39–42 |
|
2023 |
| 4. |
С. Г. Буга, Г. М. Квашнин, М. С. Кузнецов, Н. В. Корнилов, Н. В. Лупарев, М. Яо, “Измерения удельного сопротивления легированных азотом монокристаллов алмаза типа Ib методом Ван дер Пау с контактами Ti–Pt в интервале температур 573–1000 K”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023), 370–376 |
|
2022 |
| 5. |
Е. А. Олейничук, П. А. Данилов, В. Н. Леднев, П. А. Сдвиженский, М. С. Кузнецов, C. А. Тарелкин, М. Г. Бондаренко, Р. А. Хмельницкий, “Лазерно-индуцированная люминесценция синтетического алмаза, легированного бором, при различной длительности лазерного импульса”, Оптика и спектроскопия, 130:4 (2022), 477–480 |
|
2018 |
| 6. |
Gennady M. Kvashnin, Boris P. Sorokin, Mikhail S. Kuznetsov, Sergey A. Terentiev, Viktor V. Aksenenkov, Sergey I. Burkov, “Phase velocities of ultrasound waves and elastic modules in the IIb type synthetic diamond single crystal”, Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 11:5 (2018), 597–602  |
|
2014 |
| 7. |
И. М. Газизов, В. М. Залетин, А. В. Говорков, М. С. Кузнецов, И. С. Лисицкий, А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, “Центры рекомбинации и прилипания в чистых и легированных кристаллах TlBr”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1153–1163 ; I. M. Gazizov, V. M. Zaletin, A. V. Govorkov, M. S. Kuznetsov, I. S. Lisitskiǐ, A. Ya. Polyakov, N. B. Smirnov, “Recombination and trapping centers in pure and doped TlBr crystals”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1123–1133 |
|
2013 |
| 8. |
Boris P. Sorokin, Gennady M. Kvashnin, Mikhail S. Kuznetsov, Arseny V. Telichko, Sergey I. Burkov, “Experimental investigation of the linear and nonlinear elastic properties of synthetic diamond single crystal”, Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 6:1 (2013), 120–126 |
2
|
|
2012 |
| 9. |
И. М. Газизов, В. М. Залетин, В. М. Кукушкин, М. С. Кузнецов, И. С. Лисицкий, “Кинетика отклика тока детекторов TlBr в поле $\gamma$-излучения высокой мощности дозы”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 405–410 ; I. M. Gazizov, V. M. Zaletin, V. M. Kukushkin, M. S. Kuznetsov, I. S. Lisitskiǐ, “Kinetics of the current response in TlBr detectors under a high dose rate of $\gamma$-ray irradiation”, Semiconductors, 46:3 (2012), 391–396 |
1
|
|
