|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1338–1342   ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Non-classical light sources based on selectively positioned deterministic microlenses structures and (111) In(Ga)As quantum dots”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307 |
3
|
|
2018 |
| 2. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1326–1330 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Spectroscopy of single AlInAs and (111)-oriented InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109   |
5
|
| 4. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1451–1455 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Subminiature emitters based on a single (111) In(Ga)As quantum dot and hybrid microcavity”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1399–1402 |
|
2016 |
| 5. |
В. Т. Шамирзаев, В. А. Гайслер, Т. С. Шамирзаев, “Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1513–1518 ; V. T. Shamirzaev, V. A. Gaisler, T. S. Shamirzaev, “Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1493–1498 |
2
|
|
2015 |
| 6. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
|
2013 |
| 7. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
12
|
|
1989 |
| 8. |
В. А. Гайслер, О. А. Кузнецов, И. Г. Неизвестный, Л. К. Орлов, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Комбинационное рассеяние света на локальных колебаниях твердых растворов Ge$_{1-x}$Si$_{x}$”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 292–297 |
| 9. |
В. А. Гайслер, В. А. Марков, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Комбинационное рассеяние света на оптических фононах в гетероструктурах Ge/Si”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 284–287 |
|
1988 |
| 10. |
В. А. Гайслер, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Ориентационная зависимость частоты поверхностных колебаний германия”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1853–1856 |
| 11. |
В. А. Гайслер, И. Г. Неизвестный, М. П. Синюков, А. Б. Талочкин, “Ангармонизм оптических фононов германия вблизи поверхности кристалла”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 806–809 |
|
