|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, В. П. Белик, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, М. С. Лазеева, А. Д. Николенко, В. Л. Суханов, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Восстановление фотоответа кремниевых фотодиодов после облучения в вакуумном ультрафиолете”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 178–181   ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, V. P. Belik, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, M. S. Lazeeva, A. D. Nikolenko, V. L. Sukhanov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Photoresponse recovery in silicon photodiodes upon VUV irradiation”, Semiconductors, 47:2 (2013), 213–216 |
| 2. |
В. Л. Суханов, П. Н. Аруев, М. В. Дроздова, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, М. С. Лазеева, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Кремниевые детекторы с вольт-амперной характеристикой “идеального” диода в приборостроении”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 174–177 ; V. L. Sukhanov, P. N. Aruev, M. V. Drozdova, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, M. S. Lazeeva, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Utilization of silicon detectors with “ideal-diode” current-voltage characteristics”, Semiconductors, 47:2 (2013), 209–212 |
1
|
|
2012 |
| 3. |
В. В. Забродский, В. П. Белик, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, С. В. Бобашев, М. В. Петренко, В. Л. Суханов, “Исследование стабильности кремниевых фотодиодов в вакуумном ультрафиолете”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012), 69–77 ; V. V. Zabrodskii, V. P. Belik, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, S. V. Bobashev, M. V. Petrenko, V. L. Sukhanov, “A study of vacuum-ultraviolet stability of silicon photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 812–815 |
15
|
| 4. |
П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948   ] |
28
|
|
1992 |
| 5. |
Р. М. Амальская, Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Геттерирование в кремнии в условиях генерации вакансий”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1004–1007 |
|
1991 |
| 6. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1613–1617 |
| 7. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 644–654 |
| 8. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Туннельные эффекты в квантово-размерном кремниевом транзисторе”, Письма в ЖТФ, 17:2 (1991), 42–46 |
|
1990 |
| 9. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии
$n$-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1563–1573 |
| 10. |
Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, И. С. Половцев, В. Л. Суханов, “Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии
$n$-типа. I. Геттерирующие микродефекты”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1557–1562 |
| 11. |
Р. Р. Варданян, Л. Е. Клячкин, В. Л. Суханов, “Четный магнитный фотоэффект в структурах с $p{-}n$-переходом
цилиндрической формы”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990), 485–487 |
|
1988 |
| 12. |
Л. С. Берман, А. М. Маляренко, А. Д. Ременюк, В. Л. Суханов, М. Г. Толстобров, “Распределение радиационных дефектов и физическая природа
«аномальных» спектров DLTS в кремниевых диодах, облученных
$\alpha$-частицами”, Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988), 844–848 |
|
1987 |
| 13. |
Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Л. М. Чистякова, “Критерий оптимальности просветления оптической системы воздух —
SiO$_{x}$ — поликристаллический Si-монокристаллический Si в спектральной
области 550$-$950 нм”, ЖТФ, 57:4 (1987), 823–826 |
| 14. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “Вклад рекомбинационных характеристик кремния в разрешающую
способность детекторов короткопробежных частиц”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1883–1887 |
| 15. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Ермин, А. М. Маляренко, Л. С. Медведев, Н. В. Строкан, В. Л. Суханов, “Перенос заряда в структурах кремниевых детекторов с встроенным полем”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1394–1399 |
| 16. |
Н. Т. Баграев, А. Л. Дийков, Л. Е. Клячкин, В. А. Машков, В. Л. Суханов, “Исследование влияния окисла и поликристаллических слоев на время жизни носителей в монокристаллическом кремнии”, Письма в ЖТФ, 13:17 (1987), 1025–1029 |
| 17. |
Е. М. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “Возможности кремниевых барьеров Шоттки и планарных детекторов в спектрометрии низкоэнергетических протонов”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 565–569 |
|
1986 |
| 18. |
В. К. Еремин, Е. М. Вербицкая, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, А. М. Маляренко, “Разрешение сверхтонкой структуры $\alpha$-спектров кремниевыми
планарными детекторами”, ЖТФ, 56:10 (1986), 1987–1989 |
| 19. |
Е. А. Вербицкая, В. К. Еремин, А. М. Маляренко, Н. Б. Строкан, В. Л. Суханов, “О предельной разрешающей способности кремниевых детекторов короткопробежных частиц”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986), 1254–1258 |
|
1985 |
| 20. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, Н. В. Забродская, “Исследование влияния тонких пленок SiO$_{x}$
(${0\leqslant x\leqslant 2}$)
на спектральные характеристики кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:11 (1985), 2191–2195 |
| 21. |
Н. Т. Баграев, В. А. Машков, Р. П. Сейсян, В. Л. Суханов, Н. М. Шмидт, “Формирование областей неоднородной компенсации в процессе получения
планарных кремниевых $p{-}n$ переходов”, ЖТФ, 55:10 (1985), 2064–2066 |
| 22. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Фотоэлектрические характеристики системы $Si\,O_{x}$ ($1\leqslant x \leqslant 2$)-поликристаллический $Si-Ge$”, Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 675–679 |
| 23. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов, “Спектральные характеристики селективных фотопроемников для видимой и ультрафиолетовой областей спектра”, Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 354–358 |
|
1983 |
| 24. |
К. Ф. Берковская, Н. В. Кириллова, Б. Г. Подласкин, В. М. Столовщкий, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Многофункциональный фотоприемник — мультискан”, ЖТФ, 53:10 (1983), 2015–2024 |
| 25. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исправление к статье « Исследование вольтамперных характеристик
$p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический
кремний»
(ФТП, т. 17, в. 9, стр. 1648–1651)”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2232 ; L. E. Klyachkin, L. B. Lopatina, A. M. Malyarenko, A. V. Nalivkin, V. L. Sukhanov, V. V. Tuchkevich, “Correction”, Semiconductors, 17:12 (1983), 1431 |
| 26. |
Л. Е. Клячкин, Л. Б. Лопатина, А. М. Маляренко, А. В. Наливкин, В. Л. Суханов, В. В. Тучкевич, “Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов
поликристаллический кремний–монокристаллический кремний”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1648–1651 |
|
