|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов, “Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов”, ЖТФ, 86:10 (2016), 83–88   ; A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. S. Meshkov, V. N. Penkin, V. I. Romantsevich, M. B. Uspenskiy, R. V. Chernov, “Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities”, Tech. Phys., 61:10 (2016), 1525–1530 |
|
2014 |
| 2. |
А. А. Мармалюк, А. Ю. Андреев, В. П. Коняев, М. А. Ладугин, Е. И. Лебедева, А. С. Мешков, А. Н. Морозюк, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, В. А. Симаков, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, “Лазерные излучатели ($\lambda$ = 808 нм) на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 120–124 ; A. A. Marmalyuk, A. Yu. Andreev, V. P. Konyaev, M. A. Ladugin, E. I. Lebedeva, A. S. Meshkov, A. N. Morozyuk, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, V. A. Simakov, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, “Laser emitters ($\lambda$ = 808 nm) based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 115–119 |
2
|
|
2013 |
| 3. |
А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, И. В. Яроцкая, А. С. Мешков, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, Е. И. Лебедева, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs (λ = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью”, Квантовая электроника, 43:10 (2013), 895–897 [A. A. Marmalyuk, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, I. V. Yarotskaya, A. S. Meshkov, V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, E. I. Lebedeva, V. A. Simakov, “AlGaAs/GaAs laser diode bars (λ = 808 nm) with improved thermal stability”, Quantum Electron., 43:10 (2013), 895–897   ] |
15
|
|
